ads
ads
ads
ads
ads
МЕНЮ:
Главная Сотовая связь Софт Веб-мастеру Графика Железо Portable Игры Интернет Чудеса Науки Apache Delphi Drupal Flash Html Юмор Каталог ноутбуков FAQ
загрузка...


О железках:
iPhone XS «разрывает» AnTuTu
Xiaomi начала продавать топовую версию Mi 8 в белом корпусе
Apple заработала на продаже смартфонов больше, чем все остальные, вместе взятые
Представлен защищенный музыкальный смартфон AGM H1
Xiaomi предлагает купить сеты своих флагманов по цене новых iPhone
Топ новостей
О софте:
"Лунная деревня" приобретает очертания
BASSLET — гаджет любителей клубов
Хакеры способны взломать кардиостимуляторы
Новосибирские физики построят коллайдер
Китай изучит гравитационные волны


Age Of Comp » Чудеса Науки » Новая память сделает флешки в 1000 раз быстрее

Новая память сделает флешки в 1000 раз быстрее

Компании Intel и Micron на конференции IDF в Сан-Франциско представили новый вид памяти, которая способна обрабатывать информацию в 1000 раз быстрее, чем флеш-память NAND.По своей производительности память 3D XPoint практически сравнялась с оперативной памятью DRAM. В то же время новая память является энергонезависимой, то есть может сохранять данные даже при отключении питания. Это позволит в будущем делать накопители на ее основе - как флешки, так и хранилища данных для компьютеров.Анонсируя новый тип памяти, генеральный директор Intel Брайан Кржанич сравнил диск на основе технологии 3D XPoint с производительным хранилищем Intel SSD DC P3700. Благодаря новой структуре "перекрестной" адресации новая память работает в пять-семь раз быстрее одного из самых производительных накопителей.Новая память сделает флешки в 1000 раз быстрее
Первые носители на основе 3D XPoint появятся на рынке уже в 2016 году.


Нравится пост? Жми: