ads
ads
ads
ads
ads
МЕНЮ:
Главная Сотовая связь Софт Веб-мастеру Графика Железо Portable Игры Интернет Чудеса Науки Apache Delphi Drupal Flash Html Юмор Каталог ноутбуков FAQ
загрузка...


О железках:
iPhone XS «разрывает» AnTuTu
Xiaomi начала продавать топовую версию Mi 8 в белом корпусе
Apple заработала на продаже смартфонов больше, чем все остальные, вместе взятые
Представлен защищенный музыкальный смартфон AGM H1
Xiaomi предлагает купить сеты своих флагманов по цене новых iPhone
Топ новостей
О софте:
"Лунная деревня" приобретает очертания
BASSLET — гаджет любителей клубов
Хакеры способны взломать кардиостимуляторы
Новосибирские физики построят коллайдер
Китай изучит гравитационные волны


Age Of Comp » Железо » Micron разработала флэш-память типа NOR с интерфейсом SPI плотностью до 1 Гбит

Micron разработала флэш-память типа NOR с интерфейсом SPI плотностью до 1 Гбит

Специалисты компании Micron Technology разработали флэш-память типа NOR с последовательным интерфейсом SPI, имеющую плотность 256, 512 и 1024 Мбит. Устройства, вошедшие в состав серии N25Q, изготавливаются по 65-нанометровой технологии. Новые разработки повыводно совместимы с другими продуктами серии.
Флэш-память обеспечивает скорость чтения до 54 МБ/с при частоте 108 МГц. Рабочее напряжение микросхем может составлять 1,8 или 3 В. Устройства поддерживают одинарный, двойной (DSPI) и четверной (QSPI) интерфейсы ввода-вывода. Для повышения быстродействия используется технология Double transfer rate (DTR).
Поставки ознакомительных образцов микросхем уже начались.
Источник: Micron Technology


Нравится пост? Жми: