ads
ads
ads
ads
ads
МЕНЮ:
Главная Сотовая связь Софт Веб-мастеру Графика Железо Portable Игры Интернет Чудеса Науки Apache Delphi Drupal Flash Html Юмор Каталог ноутбуков FAQ
загрузка...


О железках:
iPhone XS «разрывает» AnTuTu
Xiaomi начала продавать топовую версию Mi 8 в белом корпусе
Apple заработала на продаже смартфонов больше, чем все остальные, вместе взятые
Представлен защищенный музыкальный смартфон AGM H1
Xiaomi предлагает купить сеты своих флагманов по цене новых iPhone
Топ новостей
О софте:
"Лунная деревня" приобретает очертания
BASSLET — гаджет любителей клубов
Хакеры способны взломать кардиостимуляторы
Новосибирские физики построят коллайдер
Китай изучит гравитационные волны


Age Of Comp » Железо » У Intel и Micron готов первый в мире чип NAND плотностью 128 Гбит

У Intel и Micron готов первый в мире чип NAND плотностью 128 Гбит

Первый в мире 20-нанометровый чип флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит создан специалистами IM Flash Technologies - совместного предприятия Intel и Micron Technology. Партнеры по разработке и выпуску флэш-памяти также объявили о начале серийного выпуска 20-нанометровой флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит.
 У Intel и Micron готов первый в мире чип NAND плотностью 128 Гбит

Впервые появилась возможность изготавливать накопители терабайтного объема, используя всего восемь чипов. Разработанный Intel и Micron монолитный чип плотностью 128 Гбит соответствует спецификации ONFI 3.0, поддерживая скорость до 333 млн. передач в секунду. Областями применения новой памяти названы планшеты, смартфоны и твердотельные накопители большой емкости.
По словам партнеров, ключом к использованию 20-нанометрового техпроцесса стало применение новой структуры ячейки памяти, позволившей уменьшить ее размеры. Речь идет об использованной впервые планарной структуре, с помощью которой удалось преодолеть сложности, связанные с переходом к более тонкому техпроцессу, получить высокие показатели производительности и удержать надежность на уровне, характерном для памяти, выпускаемой сейчас. Коротко говоря, планарная структура преодолевает ограничения на уменьшение размеров обычного плавающего затвора ячейки NAND за счет использования материала с высокой диэлектрической постоянной и металлического затвора. Такая технология, обозначаемая аббревиатурой HKMG, уже довольно давно используется в логических микросхемах, но в памяти NAND она применена впервые.
Ознакомительные образцы чипов плотностью 128 Гбит будут доступны в январе, а вслед за этим, в первой половине года, начнется их массовое производство.
Источник: Micron


Нравится пост? Жми: